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DMG1012T
1.6
10
8
1.2
6
0.8
I D = 250μA
T A = 25°C
4
0.4
2
0
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100
1,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
C iss
T A = 150°C
100
T A = 125°C
10
C oss
1
C rss
10
1
T A = 85°C
T A = 25°C
0
5 10 15
20
0
4 8 12 16 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 486°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
-T
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = Single Pulse
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMG1012T
Document number: DS31783 Rev. 3 - 2
4 of 6
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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